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型號：BC847QAS；Package：DFN1010B-6；45 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose transistor

Featuresandbenefits ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified ?Lowpackageheightof0.37mm

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號：PMXB75UPE；Package：DFN1010D-3；20 V, P-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號：2PC4617RMB；Package：SOT883B；50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■LeadlessultrasmallSMDplastic package ■PowerdissipationcomparabletoSOT23 ■Lowpackageheightof0.37mm ■AEC

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號：2PC4617RMB；Package：SOT883B；50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Featuresandbenefits *LeadlessultrasmallSMDplastic package *PowerdissipationcomparabletoSOT23 *Lowpackageheightof0.37mm *AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號：PMEG4020EPK；Package：DFN1608D-2；40 V, 2 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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