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Marking：00111010；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 k廓, R2 = 4.7 k廓 Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA143EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespick | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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