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000110

型號(hào)：PESD5V0S2BQA；Package：DFN1010D-3；Protection against high surge currents in ultra small DFN1010D-3 package

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

00011001

型號(hào)：PDTA114EMB；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

00011000

型號(hào)：PDTA124XMB；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = 47 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC124XMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

00011001

型號(hào)：PMH850UPE；Package：SOT8001；30 V, P-channel Trench MOSFET

description P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

00011010

型號(hào)：PESD5V0U2BMB；Package：DFN1006B-3；Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多000110供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:16:00

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