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NESG2101M16-T3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NESG2101M16-T3
廠(chǎng)商型號(hào)

NESG2101M16-T3

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

文件大小

352.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-24 22:59:00

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NESG2101M16-T3規(guī)格書(shū)詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW)

6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, highgain

amplification

PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, IC (set) = 10 mA (RF OFF), f = 2 GHz

NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2101M16-T3

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 5V 0.1A 6-Pin LeadLess Mini-Mold T/R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
9507
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
NEC
24+
1208
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
1208
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢(xún)價(jià)
NEC
0826+
6-PIN
9507
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
22+
1208
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢(xún)價(jià)
CEL
16+
SOT-523
15000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
詢(xún)價(jià)
CEL
20+
SOT-523
36800
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢(xún)價(jià)
RENESAS
23+
SC-90
63000
原裝正品現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
CEL
24+
原廠(chǎng)原裝
5000
原裝正品
詢(xún)價(jià)
CEL
SOT-523
15000
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢(xún)價(jià)