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NESG2101M05-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NESG2101M05-T1 |
| 功能描述 | NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW |
| 文件大小 |
172.81 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-22 22:59:00 |
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NESG2101M05-T1規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)
Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)
FEATURES
? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification
? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz
? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NESG2101M05-T1
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
2016+ |
SOT-343 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NEC |
25+ |
SOT343 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
2023+ |
SC70-4 |
1800 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！ |
詢價 | ||
NEC |
08+ |
SOT-343 |
19500 |
詢價 | |||
NEC |
23+ |
SOT343 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
21+ |
SOT-23 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價 |
