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IRF5210L

-100V 單個 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封裝

\n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? P 通道MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IRF5210LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces

IRF

International Rectifier

IRF

IRF5210PBF.

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi

IRF

International Rectifier

IRF

IRF5210S

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF

IRF5210S

-100V 單個 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封裝

\n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? P 通道MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IRF5210S

P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

EVVOSEMI

IRF5210SPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces

IRF

International Rectifier

IRF

IRF5210STRLPBF

絲印：F5210S；Package：TO-263；P-Channel Power MOSFET

Application +DC/DCConverter Portableequipmentandbattery ?PowerSwitch

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IRF521FI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.23? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

IRF5210

Advanced Process Technology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

技術(shù)參數(shù)

  • Maximum Power Dissipation：

    40000mW

  • Maximum Gate Source Voltage：

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage：

    60V

  • Maximum Continuous Drain Current：

    8A

  • Configuration：

    Single

  • Channel Type：

    N

  • Channel Mode：

    Enhancement

  • Category：

    Power MOSFET

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
05+
原廠原裝
4493
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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全新原裝 貨期兩周
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TO-220
6000
十年配單,只做原裝
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公司優(yōu)勢庫存 熱賣中!!
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TO-220
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IR/VISHAY
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TO-220
6000
原裝正品，支持實單
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IR
1922+
TO-220
207
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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IR/VISHAY
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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IR
23+
TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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更多IRF521供應商 更新時間2025-8-3 9:17:00

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