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IRF5210L

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRF5210L

isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF5210L

Advanced Process Technology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF5210L

-100V 單個 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n? P 通道MOSFET\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRF5210LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofotherapplications. ●AdvancedProces

IRF

International Rectifier

IRF5210LPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRF5210LPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO262

  • VDS max：

    -100 V

  • RDS (on) @10V max：

    60 m?

  • ID @25°C max：

    -38 A

  • QG typ @10V：

    150 nC

  • Polarity：

    P

  • VGS(th) min：

    -2 V

  • VGS(th) max：

    -4 V

  • VGS(th)：

    -3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

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更多IRF5210L供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:31:00

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