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IRF1010NPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1010NS

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A??

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1010NS

FullyAvalancheRated

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF1010NS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF1010NSPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1010NSPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1010NSTRRPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRF1010Z

AUTOMOTIVEMOSFET

AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc

IRF

International Rectifier

IRF1010Z

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤7.5m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF1010EZSTRLP

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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IR全新特價(jià)IRF1010EZSTRLP即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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 詢價(jià)
更多IRF1010EZSTRLP供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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