IRF1010Z中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF1010Z |
| 功能描述 | N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件大小 |
338.26 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-12 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRF1010Z價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF1010Z規(guī)格書詳情
? DESCRITION
? reliable device for use in a wide variety of applications
? FEATURES
? Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤7.5m?
? Enhancement mode
? Fast Switching Speed
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF1010Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
18500 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
7000 |
工廠現(xiàn)貨!原裝正品! |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
0607 |
250 |
公司優(yōu)勢(shì)庫存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
IR |
22+ |
TO-220 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
27274 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IOR |
2020+ |
DIP |
18 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
