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DS065010D3

型號：SDS065J010D3；Package：TO-252-2L；3 rd Generation 650 V/ 1 0 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光電三安光電股份有限公司

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更多DS065010D3供應商 更新時間2025-7-29 11:00:00

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