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DS120010E3

型號(hào)：SDS120J010E3；Package：TO-263-2L；3rd Generation 1200V/10A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光電三安光電股份有限公司

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更多DS120010E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 13:31:00

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