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DS120030G3

型號(hào)：SDS120J030G3；Package：TO-247-3L；3rd Generation 1200V/30A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光電三安光電股份有限公司

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更多DS120030G3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 15:01:00

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