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Marking：100PW219；Package：PG-TO247-3；MOSFET StrongIRFET? Power MOSFET, 100 V Features ?Verylowon?resistanceRds(on) ?ExcellentgatechargexRds(on)(FOM) ?OptimizedQrr ?175°Coperatingtemperature ?ProductvalidationaccordingtoJEDECstandard ?Optimizedforbroadestavailabilityfromdistributionpartners Benefits ?Reducedconductionlosses ?Ideal | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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