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IRF100PW219中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF100PW219
廠商型號

IRF100PW219

功能描述

MOSFET StrongIRFET? Power MOSFET, 100 V

絲印標(biāo)識

100PW219

封裝外殼

PG-TO247-3

文件大小

1.03327 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-10 22:30:00

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Features

? Very low on?resistance Rds(on)

? Excellent gate charge x Rds(on) (FOM)

? Optimized Qrr

? 175°C operating temperature

? Product validation according to JEDEC standard

? Optimized for broadest availability from distribution partners

Benefits

? Reduced conduction losses

? Ideal for high switching frequency

? Lower overshoot voltage

? Increased reliability versus 150°C rated parts

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Lead free, Halogen?free according to IEC61249?2?21

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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