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SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation–1.5W ?PlasticcaseSOT-223 ?Weightapprox.–0.04g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled | DiotecDiotec Semiconductor 德歐泰克 | Diotec | ||
NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:BF723. FEATURES ?Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS ?Class-Bvideooutputstagesofcolourtelevisionreceivers ?Generalpurposehighvoltagecircuits. | PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES *Highbreakdownandlowsaturationvoltages APPLICATIONS *SuitableforvideooutputstagesinTVsets *Switchingpowersupplies | Zetex Zetex Semiconductors | Zetex | ||
NPNSiliconHigh-VoltageTransistors(SuitableforvideooutputstagesinTVsetsandswitchingpowersuppliesHighbreakdownvoltage) ●SuitableforvideooutputstagesinTVsetsandswitchingpowersupplies ●Highbreakdownvoltage ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lowcapacitance ●Complementarytypes:BF721/723(PNP) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNhigh-voltagetransistors FEATURES ?Lowfeedbackcapacitance. APPLICATIONS ?Class-Bvideooutputstagesofcolourtelevision receivers ?Generalpurposehighvoltagecircuits. DESCRIPTION NPNtransistorsinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:BF723. | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 | NEXPERIA | ||
CHeterojunctionWidebandRFBipolarTransistor ProductBrief TheBFP720isaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=25mA.Thed | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP720ESDisaSiliconGermaniumCarbon(SiGe:C)NPNHeterojunctionwidebandBipolarRFTransistor(HBT)inaplasticdualemitterstandardpackagewithvisibleleads.Thedeviceisfittedwithinternalprotectioncircuits,whichenhancerobustnessagainstESDandhighRFinput | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
CHeterojunctionWidebandRFBipolarTransistor ProductBrief TheBFP720FisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.0VandcurrentsuptoIC=25mA.Th | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
ZXTPS720MCTA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP + 二極管（隔離式）
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
370mV @ 250mA，2.5A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
25nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 1.5A，2V
- 頻率 - 躍遷：
190MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN3020B-8
- 描述：
TRANS PNP 40V 3A DFN3020B-8
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated |
24+ |
8-WDFN 裸露焊盤(pán) |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
DIODES |
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DFN-8 |
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DIODES/美臺(tái) |
23+ |
DFN-8 |
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DIODES |
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Diodes Incorporated |
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8-DFN(3x2) |
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ZETEX |
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Diodes Incorporated |
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8-WDFN 裸露焊盤(pán) |
9350 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
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DIODES/美臺(tái) |
24+ |
DFN-8 |
60000 |
詢價(jià) |
