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V4P22C-M3/H

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V4P22C-M3/H

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V4P22C-M3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V4P22C-M3SLASHH

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.58VatIF=1A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V4P22C-M3SLASHI

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.58VatIF=1A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiency ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    V4P22C-M3/H

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管配置：

    1 對共陰極

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    2.8A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 175°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-277，3-PowerDFN

  • 供應商器件封裝：

    TO-277A（SMPC）

  • 描述：

    4A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V4P22C-M3/H供應商 更新時間2025-6-20 17:04:00

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