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V4P22C-M3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V4P22C-M3SLASHH
廠商型號

V4P22C-M3SLASHH

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 1 A

文件大小

104.58 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-24 22:59:00

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V4P22C-M3SLASHH規(guī)格書詳情

? Very low profile - typical height of 1.1 mm

? Ideal for automated placement

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF

maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY/威世
24+
NA/
18250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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