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Marking：V260N65S3；Package：DPAK3；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 260 m, 12 A Features ?UltraLowGateCharge&LowEffectiveOutputCapacitance ?LowerFOM(RDS(on)max.xQgtyp.&RDS(on)max.xEOSS) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
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