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Marking：UN0413N；Package：DFN5x6-8L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature ProprietaryTrenchGateDeviceDesignandProcesses LowRDS(ON) 100%AvalancheTested ReliableandRugged RoHScomplian Applications DC/DCConverter BatteryManagementSystem IndustrialandMotorDriveapplications Synchronousrectifierapplications Half-bridgeandfull-br | UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司 | UNSEMI |
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