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TPS1120DR

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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德州儀器美國德州儀器公司

TPS1120DR

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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德州儀器美國德州儀器公司

TPS1120DR.A

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TPS1120DR.A

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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TPS1120DR.B

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TPS1120DR.B

Marking：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

LowrDS(on)...0.18WatVGS=–10V 3-VCompatible RequiresNoExternalVCC TTLandCMOSCompatibleInputs VGS(th)=–1.5VMax ESDProtectionUpto2kVper MIL-STD-883C,Method3015 description TheTPS1120incorporatestwoindependent p-channelenhancement-modeMOSFETsthat have

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TPS1120DRG4

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TPS1120DRG4

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TPS1120DR

  • 功能描述：

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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