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TPS1120DRG4中文資料德州儀器數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

TPS1120DRG4
廠商型號

TPS1120DRG4

功能描述

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

文件大小

379.72 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-7-23 23:00:00

人工找貨

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產品屬性

  • 型號:

    TPS1120DRG4

  • 功能描述:

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/德州儀器
24+
NA/
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原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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20+
SOP-8
63258
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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TI/德州儀器
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SOP8
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