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STD11NM60N-1中文資料意法半導體數(shù)據手冊PDF規(guī)格書

STD11NM60N-1
廠商型號

STD11NM60N-1
功能描述

N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
文件大小

641.21 Kbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-7-17 22:59:00
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STD11NM60N-1規(guī)格書詳情

Description

This series of devices is designed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STD11NM60N-1

  • 功能描述：

    MOSFET N Ch 600V 0.37 Ohm 10A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
NA/
20
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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20+
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15000
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20094
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