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STD11N65M2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
STD11N65M2 |
功能描述 | Extremely low gate charge |
文件大小 |
1.17856 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
21 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-6-21 20:00:00 |
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STD11N65M2規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
? Extremely low gate charge
? Lower RDS(on) x area vs previous generation
? Low gate input resistance
? 100 avalanche tested
? Zener-protected
Applications
? Switching applications
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
1833+ |
TO-252 |
518 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-252-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
17500 |
只做原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-252-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |