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首頁>STB120N4LF6>芯片詳情
STB120N4LF6_STMICROELECTRONICS/意法半導體_MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE上?;嗜A信息
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
STB120N4LF6
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
上?;嗜A信息科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機:
13917251561
- 詢價:
- 電話:
021-34633375-8033
- 地址:
上海市閔行區(qū)宜山路2301弄九歌商務中心5號樓401室
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