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SPI21N50C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI21N50C3

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI21N50C3

New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPI21N50C3

Marking：I2PAK；Package：TO-262；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPP21N50C3

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyWorldwidebestRDS(on)inTO220Ultralowgatecharge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3

CoolMOS??PowerTransistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultraloweffectivecapacitance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancea

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPW21N50C3

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?ImprovedTransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPW21N50C3

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPI21N50C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 560V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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##公司100%原裝現(xiàn)貨,假一罰十!可含稅13%免費提供樣
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多SPI21N50C3供應商 更新時間2025-6-26 9:09:00

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