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SPP21N50C3

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultraloweffectivecapacitance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancea

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPP21N50C3

New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3_07

New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP21N50C3_09

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPP21N50C3

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 560V 21A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SPP21N50C3供應(yīng)商 更新時間2025-6-28 16:35:00

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