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Marking：S10E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ. | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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