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S9013

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA). ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW). APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

S9013

NPNTransistors

Features ●ExcellenthFElinearity ●CollectorCurrent:IC=0.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

S9013

GeneralPurposeTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S9013

Powerdissipation

FEATURE Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

S9013

NPNGeneralpurposeAmplifier

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司

S9013

Plastic-EncapsulateTransistors

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

S9013

TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation.

DCCOM

Dc Components

S9013

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

S9013

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighCollectorCurrent. ComplementartyoS9012. ExcellenhtFELinearity.

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

S9013

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多PS9013-V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-25 11:06:00

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