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S9013

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURE ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團(tuán)大亞電器集團(tuán)有限公司

S9013

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

DSK

Diode Semiconductor Korea

S9013

NPNSILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Features ?HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ?ComplementaryToS9012. ?ExcellentHFELinearity. ?Powerdissipation.(PC=300mW)

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

S9013

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent. ●ComplementarytoS9012. ●ExcellenthFELinearity.

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

S9013

TRANSISTOR(NPN)

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

S9013

TRANSISTOR(NPN)

FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

S9013

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpoweroutput stages. Thetransistorissubdividedintothreegroups,G, HandI,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistor9012

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

S9013

Plastic-EncapsulateTransistors

Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplimentarytoS9012

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

S9013

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

S9013

Plastic-EncapsulateTransistors

SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.

三聯(lián)盛科技股份深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司

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更多PS9013-V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-23 11:06:00

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