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PHD3055E中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD3055E
廠商型號

PHD3055E

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

220.35 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-23 23:00:00

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PHD3055E規(guī)格書詳情

General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Low conduction losses due to low

on-state resistance

■ Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD3055E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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