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PHD20N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD20N06T
廠商型號

PHD20N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

307.45 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-15 17:11:00

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PHD20N06T規(guī)格書詳情

Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology.

Features

■ TrenchMOS? technology

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

Applications

■ Switched mode power supplies

■ DC to DC converters

■ General purpose switch.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD20N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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