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PHD12N10E中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PHD12N10E
廠商型號(hào)

PHD12N10E

功能描述

PowerMOS transistor

文件大小

79.16 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-23 23:00:00

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PHD12N10E規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. The device is intended for use in Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control, welding, DC/DC and AC/DC converters, and in general purpose switching applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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