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S8550

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

S8550

TRANSISTOR(PNP)

FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

S8550

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

S8550

LOWVOLTAGEHIGHCURRENTSMALLSIGNALPNPTRANSISTOR

■DESCRIPTION TheUTCS8550isalowvoltagehighcurrentsmallsignalPNPtransistor,designedforClassBpush-pullaudioamplifierandgeneralpurposeapplications. ■FEATURES *Collectorcurrentupto700mA *Collector-Emittervoltageupto20V *ComplementarytoUTCS8050 *HalogenFre

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

S8550

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

S8550

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplimentarytoS8050 ●Collectorcurrent:IC=0.5A

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團(tuán)大亞電器集團(tuán)有限公司

S8550

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ComplimentarytoS8050 CollectorCurrent:IC=0.5A

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S8550

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS8050. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

S8550

4?8elementAPDarraywithlownoiseandenhancedshort-wavelengthsensitivity

S8550isanAPD(avalanchephotodiode)arraydesignedforshortwavelengthdetection,featuringlownoiseandlowterminalcapacitance.S8550alsooffersuniformgainandsmallcross-talkbetweeneachelement. Features ●Highsensitivityandlownoiseinshortwavelengthregion ●Lowterminalc

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

S8550

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=-500mA） ●ComplementaryToS8050. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

DSK

Diode Semiconductor Korea

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PCA8550PW/DG-T

  • 功能描述：

    寄存器 4-BIT 1-OF-2 I2C MULTIPLEXER

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 邏輯類型：

    CMOS

  • 邏輯系列：

    HC

  • 電路數(shù)量：

    1

  • 最大時(shí)鐘頻率：

    36 MHz

  • 高電平輸出電流：

    - 7.8 mA

  • 低電平輸出電流：

    7.8 mA

  • 電源電壓-最大：

    6 V

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-38

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NXP
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多PCA8550PW/DG-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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