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Marking：PB9110；Package：SC-73；100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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