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Marking：PB4032PZ；Package：SC-73；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrint | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：PB4032PZ；Package：SOT223；30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NZ-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Optimizedswitchingtime ?Highcollectorcurrentcapab | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司 | NEXPERIA |
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