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Marking：M033V120X2Q；Package：TO-247-4L；1200 V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Features ?ProprietaryαSiCMOSFETtechnology ?Lowloss,withlowRDS,ON ?FastswitchingwithlowRGandlowcapacitance ?Optimizedgatedrivevoltage(VGS=15V) ?Lowreverserecoverydiode(Qrr) ?AEC-Q101AutomotiveQualified Applications ?xEVCharger ?ElectricVehicleSupply | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 | AOSMD |
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