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LM3000SQ

DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LM3000SQ/NOPB

DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3000SQSLASHNOPB

DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

LM3000SQX

DualSynchronousEmulatedCurrent-ModeController

NSCNational Semiconductor (TI)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司

LOU3000

HighBrightnessLEDLamp

LUXPIA

luxpia

LP3000

2WPOWERPHEMT

DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirectwrite0.25mmby3000mmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

LP3000

2WPowerPHEMT

DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25μmby3000μmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

LPV3000

2WPowerPHEMT

DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP3000isanAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25μmby3000μmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestructureminim

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

LRU3000

HighBrightnessLEDLamp

LUXPIA

luxpia

LUCW3000CCN

W3000PLLDual-BandFrequencySynthesizer

Description TheW3000isahigh-performanceUHFRFPLLsynthesizer,designedforuseindigitalwirelesscommunicationapplications.Particularemphasisinthedesignhasbeenplacedondual-bandapplications,withnear-seamlessswitchingbetweenoperationalbandswithouttheneedforexternallo

agere

Agere Systems

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF3000

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原裝正品,假一罰十
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更多IRF3000供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-22 16:30:00

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