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IRF1010N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1010NL	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NL	文件：1.07508 Mbytes Page：10 Pages	FullyAvalancheRated Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010NLPBF	文件：297.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NLPBF	文件：298.2 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NPBF	文件：182.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NPBF	文件：3.0715 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010NPBF	文件：231.48 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IPT-1010
制造商：
ICE
制造商全稱：
ice Components, Ins.
功能描述：
IC Reference Design Transformers

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IPT-1010	ICE	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司	IPT1-102-01-L-D	SAMTEC	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	IPT1-105-01-L-D		24+	N/A	64000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
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深圳市德力誠信科技有限公司	IPT1-105-01-L-D-RA	SAMTEC	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價

更多IPT-1010供應商更新時間2025-6-26 17:23:00

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