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PT6603Q

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6603S

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

SDE6603

SMDPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SDE6603_MDS

SMDPOWERINDUCTORS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SDR6603

SMDPOWERINDUCTOR

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SGM6603

DeviceQuiescentCurrent:30關(guān)A(TYP)

SGMICROSG Micro Corp

圣邦股份圣邦微電子(北京)股份有限公司

SRE6603

SHIELDEDPOWERINDUCTORS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SRR6603

ShieldedPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

SRR6603

ShieldedPowerInductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

STT6603

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-223package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HIP6603BECB-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    20ns,20ns

  • 工作溫度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6603BECB-T供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 8:31:00