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MAX6603

Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX6603

Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner

GeneralDescription TheMAX6603dual-channel,platinumRTD-to-voltagesignalconditionerexcitesandamplifiesthesignalfromtwoexternal200?platinum-resistivetemperaturedevices(PtRTD)toachievehigh-voltage,level-filteredsignalsfortemperaturemeasurements.TheMAX6603providesadir

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX6603ATB

Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner

GeneralDescription TheMAX6603dual-channel,platinumRTD-to-voltagesignalconditionerexcitesandamplifiesthesignalfromtwoexternal200?platinum-resistivetemperaturedevices(PtRTD)toachievehigh-voltage,level-filteredsignalsfortemperaturemeasurements.TheMAX6603providesadir

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MAX6603ATB+

Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner

MaximMaxim Integrated Products

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MAX6603EVKIT

On-Board5VRegulator

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

MCH6603

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting ?Halogenfreeconplaiance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MCH6603

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6603

Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting ?Halogenfreeconplaiance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6603-TL-H

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

MCH6603-TL-H

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?LowON-resistance ?Ultrahigh-speedswitching ?1.5Vdrive ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting ?Halogenfreeconplaiance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HIP6603BECB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多HIP6603BECB-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-23 22:58:00

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