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Marking：H4L045065SC1；Package：TO247-4L；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 33 m, 55 A Features ?Typ.RDS(on)=33m@VGS=18VTyp.RDS(on)=45m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisPb?FreeandisRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
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