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H4L030120M3S

型號：NTH4L030N120M3S；Package：TO-247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

H4L030120M3S

型號：NVH4L030N120M3S；Package：TO-247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=29m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=107nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=106pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

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更多H4L030120M3S供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:20:00

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