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Marking：GC210N80E；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGC210N80FEusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體 | GOFORD |
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