首頁>FQB19N20LTM>規(guī)格書詳情

FQB19N20LTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQB19N20LTM
廠商型號

FQB19N20LTM

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 200 V, 21 A, 140 m廓

文件大小

868.47 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-30 15:48:00

人工找貨

FQB19N20LTM價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

FQB19N20LTM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 21? A, 200 V, RDS(on) = 140 m? (Max.) @ VGS = 10 V,. ID = 9.7 A

? Low Gate Charge (Typ. 31 nC)

? Low Crss (Typ. 30 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQB19N20LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
安森美
21+
12588
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
詢價
ONSEMI/安森美
2511
TO-263-2
360000
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
詢價
ONSEMI
18+ROHS
NA
5200
全新原裝!優(yōu)勢庫存熱賣中!
詢價
ON/安森美
25+
D2PAK-3
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
原廠
23+
D2PAK
5000
原裝正品,假一罰十
詢價
FAIRCHILD
20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
FAIRCHIL
24+
TO-263
90000
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
詢價
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
25800
原裝正品支持實單
詢價
FAIRCHILD
06+
原廠原裝
4802
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價