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Marking：F14LU；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON) | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體 | EVVOSEMI |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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