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R8008ANX

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R8008ANX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=800V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.03Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariations

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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NK/南科功率
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DFN5060-8
986966
國(guó)產(chǎn)
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更多DMT8008SPS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:01:00