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R8008ANX

10V Drive Nch MOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

R8008ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=800V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.03Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariations

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

R8008ANX

10V Drive Nch MOSFET; ?10V驅(qū)動(dòng)型 Nch 功率MOSFET;

為支持現(xiàn)有客戶而生產(chǎn)的產(chǎn)品。不對新設(shè)計(jì)出售此產(chǎn)品。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RFSW8008

Wi-FiSPDTSwitch300MHzto5925MHz

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

RFSW8008SB

Wi-FiSPDTSwitch300MHzto5925MHz

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

RFSW8008SQ

Wi-FiSPDTSwitch300MHzto5925MHz

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Status：

    新設(shè)計(jì)非推薦

  • 封裝：

    TO-220FM

  • 包裝數(shù)量：

    500

  • 最小獨(dú)立包裝數(shù)量：

    500

  • 包裝形態(tài)：

    Bulk

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    TO-220FM

  • Package Size[mm]：

    15.1x10.1 (t=4.6)

  • Applications：

    Power Supply

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    800

  • Drain Current ID[A]：

    8.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.79

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.79

  • Total gate charge Qg[nC]：

    39.0

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    50.0

  • Drive Voltage[V]：

    10.0

  • Mounting Style：

    Leaded type

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ROHM/羅姆
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更多R8008ANX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 15:46:00

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