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IDW10G65C5

Marking:D1065C5;Package:PG-TO247-3;5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

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