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Marking：D0512C5；Package：PG-TO263-2；5th Generation CoolSiCTM 1200V Schottky Diode Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehaviour ?Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature ?Tightforwardvoltagedistribution ?Excellentthermalperformance ? | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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