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CS8312YN8_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP科芯源微電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
CS8312YN8
- 功能描述:
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP
- RoHS:
否
- 類別:
集成電路(IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
50
- 配置:
低端
- 輸入類型:
非反相
- 延遲時間:
40ns 電流 -
- 峰:
9A
- 配置數(shù):
1
- 輸出數(shù):
1 高端電壓 -
- 最大(自引導(dǎo)啟動):
-
- 電源電壓:
4.5 V ~ 35 V
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-263
- 包裝:
管件
供應(yīng)商
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